发明名称 |
一种电熔丝结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种电熔丝结构,所述电熔丝结构至少包括:第一端子、第二端子以及连接所述第一端子和第二端子的互连结构;所述第一端子和所述第二端子上至少设置有一个接近于所述互连结构且垂直于所述互连结构的长条形接触电极。本实用新型的电熔丝结构通过在阴极端子接近熔丝位置处设置长条形接触电极,来减少被推到阳极端的多晶硅数量,以此减少完成电致迁移所需的多晶硅,提高低工作电压下的电熔丝编程效率。 |
申请公布号 |
CN203826373U |
申请公布日期 |
2014.09.10 |
申请号 |
CN201420226039.0 |
申请日期 |
2014.05.05 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
甘正浩 |
分类号 |
H01L23/525(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/525(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种电熔丝结构,其特征在于,所述电熔丝结构至少包括:第一端子、第二端子以及连接所述第一端子和第二端子的互连结构;所述第一端子和所述第二端子上至少设置有一个接近于所述互连结构且垂直于所述互连结构的长条形接触电极。 |
地址 |
100176 北京市大兴区大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |