发明名称 | 一种改善MOCVD外延片均匀性的石墨盘 | ||
摘要 | 一种改善MOCVD外延片均匀性的石墨盘,涉及MOCVD外延片生产技术领域,本实用新型包括大石墨盘和小石墨盘,在大石墨盘上设有通气小孔和栓,在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽,小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合,布置在大石墨盘上方;在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽;边缘片槽沿中心片槽的外周均布;在小石磨盘的背部设置一圆柱形凹槽,支撑凹槽设置在圆柱形凹槽的中部。本实用新型通过对现有小石磨盘进行改良,在小石磨盘背部进行挖空,挖空形状为一规则圆柱形,改善了由于栓导热造成的小盘中心局部温度较高,从而降低小石墨盘中心和边缘温度差异,最终获得均匀性很好的外延片。 | ||
申请公布号 | CN203820884U | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
申请号 | CN201420203207.4 | 申请日期 | 2014.04.24 |
申请人 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 发明人 | 孙一军;李鸿渐;李盼盼;李志聪;王国宏 |
分类号 | C23C16/458(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I |
代理机构 | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人 | 江平 |
主权项 | 一种改善MOCVD外延片均匀性的石墨盘,包括大石墨盘和小石墨盘,在大石墨盘上设有通气小孔和栓,在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽,所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合,布置在大石墨盘上方;在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽,所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布;其特征在于:在所述小石磨盘的背部设置圆柱形凹槽,所述支撑凹槽设置在圆柱形凹槽的中部。 | ||
地址 | 225009 江苏省扬州市开发区临江路186号 |