形成高锗浓度的硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构

摘要

本发明公开了一种形成硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构，该方法包括：沉积一第一硅锗层于一半导体基板上的一源极区与一漏极区的至少其中之一中，半导体基板具有位于源极区与漏极区之间的一沟道；以及使第一硅锗层的一顶部转变成一氧化层以及使第一硅锗层的一底部转变成一第二硅锗层，其中第二硅锗层的锗浓度高于第一硅锗层的锗浓度。本发明使一具有低锗浓度的硅锗膜转变成一具有高锗浓度的硅锗膜，并形成以及适当地控制高锗浓度的硅锗轮廓。

主权项

一种形成硅锗应力源的方法，包括：沉积一第一硅锗层于一半导体基板上的一源极区及/或一漏极区中，该半导体基板具有位于该源极区与该漏极区之间的一沟道；以及使该第一硅锗层的一顶部转变成一氧化层并使该第一硅锗层的一底部转变成一第二硅锗层，其中该第二硅锗层的锗浓度高于该第一硅锗层的锗浓度；还包括：在使该第一硅锗层的该顶部转变成该氧化层并使该第一硅锗层的该底部转变成该第二硅锗层之前，于该第一硅锗层上沉积一硅盖层。