发明名称 |
薄膜型熔断器及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了薄膜型熔断器,其中复合熔丝电连接在基体上表面的两端表面端电极之间,复合熔丝包括涂覆在基体上表面位于两端表面端电极之间的绝缘部位上的纳米导电粉末层、电镀在纳米导电粉末层上的金属层,这样能够制得不同电阻率和不同熔点的复合熔丝,从而获得不同熔断特性的熔断器。本发明还公开了薄膜型熔断器的制备方法,利用覆铜线路板作为原材料,并通过与纳米材料技术相结合,制造不同熔断特性的熔断器,还充分利用了覆铜板上的原有的铜片来制造熔断器的表面端电极,减少了材料的消耗,减少了将铜片完全去除所耗费的化学品,也减少了将铜片除去所产生的废液。 |
申请公布号 |
CN102623271B |
申请公布日期 |
2014.09.10 |
申请号 |
CN201210091843.8 |
申请日期 |
2012.03.31 |
申请人 |
AEM科技(苏州)股份有限公司 |
发明人 |
李向明;汪立无 |
分类号 |
H01H85/041(2006.01)I;H01H69/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01H85/041(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
孙仿卫;赵艳 |
主权项 |
一种薄膜型熔断器,包括绝缘的基体,该基体具有上表面、下表面、相对的端面;表面端电极,所述基体的上表面和下表面的两端均设置有所述表面端电极;其特征在于:该薄膜型熔断器还包括复合熔丝,该复合熔丝电连接在所述基体上表面的两端所述表面端电极之间,所述复合熔丝包括涂覆在所述基体上表面位于所述两端表面端电极之间的绝缘部位上的纳米导电粉末层、电镀在所述纳米导电粉末层上的金属层;端面电极,所述基体的相对的端面上均设置有所述端面电极,该端面电极电连接了所述基体上表面和下表面的相应端的所述表面端电极,所述端面电极包括涂覆在所述基体的相应端的端面上的纳米导电粉末层、电镀在该纳米导电粉末层上的金属层;保护层,该保护层包覆在所述复合熔丝上。 |
地址 |
215122 江苏省苏州市工业园区沈浒路458号 |