发明名称 |
一种阵列基板及数据线断线的修复方法 |
摘要 |
本发明涉及一种阵列基板及数据线断线的修复方法。该数据线断线的修复方法用于对制备于阵列基板上的数据线的缺口进行修复;其包括下述步骤:将预设元素的离子掺杂进入半导体层上对应于所述缺口下方,以及对应于数据线位于缺口两侧的端部的下方的区域,使半导体层上掺杂有预设元素的离子的区域变为导电层,以使数据线位于所述缺口两侧的端部通过所述导电层电连接。本发明提供的上述数据线断线的修复方法不受数据线的线宽的影响,从而其可以在数据线的线宽较窄的情况下,将数据线的断线修复。 |
申请公布号 |
CN104035218A |
申请公布日期 |
2014.09.10 |
申请号 |
CN201410217057.7 |
申请日期 |
2014.05.21 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
发明人 |
郭会斌;王守坤;李梁梁;冯玉春;郭总杰 |
分类号 |
G02F1/13(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/13(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;陈源 |
主权项 |
一种阵列基板,该阵列基板包括多条数据线和多个薄膜晶体管,所述数据线下方设置有半导体层,至少一条所述数据线上形成有缺口,其特征在于,所述半导体层上对应于所述缺口下方,以及对应于所述数据线位于所述缺口两侧的端部的下方的区域掺杂有预设元素的离子,以使所述数据线位于所述缺口两侧的端部通过所述半导体层上掺杂有预设元素的离子的区域电连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |