石墨烯结构的碳层包覆的铜复合导电粉体及其制备方法

摘要

本发明公开石墨烯结构的碳层包覆的铜复合导电粉体及其制备方法，方法包括步骤：A、将LPAN溶液在80~300℃下搅拌8~72小时，形成微环化的LPAN溶液；B、将微环化的LPAN溶液在200~300℃下热处理1~10小时，形成具有梯形结构的热氧化的聚丙烯腈低聚物；C、将热氧化的聚丙烯腈低聚物和铜化合物，加入到溶剂中，混合均匀，得到LPAN包覆铜化合物；D、将混合均匀后的LPAN包覆铜化合物在180℃~250℃干燥1~10h，直至溶剂蒸发完全，得到低温碳化前躯体包覆铜化合物；E、把低温碳化前躯体包覆铜化合物在惰性气氛保护下，在气体流量为10~500ml/min，300~1800℃的条件下煅烧6~24小时，从而获得石墨烯结构的碳层包覆的铜复合导电粉体。

主权项

一种石墨烯结构的碳层包覆的铜复合导电粉体的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、将LPAN溶液在80~300℃下搅拌8~72小时，形成微环化的LPAN溶液；B、将微环化的LPAN溶液在200~300℃下热处理1~10小时，形成具有梯形结构的热氧化的聚丙烯腈低聚物；C、将热氧化的聚丙烯腈低聚物和铜化合物，加入到溶剂中，混合均匀，得到LPAN包覆铜化合物；D、将混合均匀后的LPAN包覆铜化合物在180℃~250℃干燥1~10h，直至溶剂蒸发完全，得到低温碳化前躯体包覆铜化合物；E、把低温碳化前躯体包覆铜化合物在惰性气氛保护下，在气体流量为10~500ml/min，300~1800 ℃的条件下煅烧6~24小时，从而获得石墨烯结构的碳层包覆的铜复合导电粉体。