| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置的制造方法，包含：从第一导电型的半导体基板(101)的背面进行质子注入的注入工序；在注入工序后，通过在炉中对半导体基板(101)进行退火处理，形成具有比半导体基板(101)高的杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域(101a)的形成工序，形成工序在将炉内设成氢气氛、将炉退火的氢的容积浓度设为0.5％以上且小于4.65％的条件下进行。由此，对于利用质子注入进行的施主生成，能够实现结晶缺陷减少。另外，能够提高施主化率。 | ||
| 申请公布号 | CN104040692A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201380005366.1 | 申请日期 | 2013.03.14 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 小林勇介;吉村尚 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;金玉兰 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：注入工序，从第一导电型的半导体基板的背面进行质子注入；形成工序，在所述注入工序后，通过退火炉对所述半导体基板进行退火处理，形成比所述半导体基板具有更高的杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域，所述形成工序在使所述退火炉处于氢气氛，并将该氢的容积浓度设为0.5％以上且小于4.65％的条件下进行。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||