一种闪存测试结构

摘要

本实用新型提供一种闪存测试结构，至少包括：基底与其上表面的氧化层；该氧化层上表面由下而上依次堆叠有浮栅、绝缘层及控制栅；该控制栅上表面刻蚀有平行排列且与所述氧化层上表面贯通的若干第一条形槽；浮栅、绝缘层以及控制栅的侧壁及第一条形槽的侧壁均设有保护层；刻蚀于控制栅上表面、与若干第一条形槽以及控制栅侧壁相交的第二条形槽；第二条形槽间断于保护层处；第二条形槽无间断的区域与绝缘层上表面贯通；第二条形槽左、右两边的所述控制栅之间加有电压。本实用新型在控制栅表面增加第一条形槽，通过测试第二条形槽左右两边的控制栅间的电流来监测形成控制栅轮廓的工艺水平及刻蚀形成定义逻辑栅极的所述第二条形槽的刻蚀水平。

主权项

一种闪存测试结构，其特征在于，所述闪存测试结构至少包括：基底与位于该基底上表面的氧化层；所述氧化层上表面由下而上依次堆叠有浮栅、绝缘层以及控制栅；所述控制栅上表面刻蚀有平行排列且通过所述控制栅、绝缘层以及浮栅与所述氧化层上表面贯通的若干第一条形槽；由所述浮栅、绝缘层以及控制栅组成的层叠结构的侧壁以及所述若干第一条形槽的侧壁均设有保护层；刻蚀于所述控制栅上表面、与所述若干第一条形槽以及所述控制栅侧壁相交的第二条形槽；所述第二条形槽间断于所述保护层处；所述第二条形槽无间断的区域与所述绝缘层上表面贯通；所述第二条形槽左、右两边的所述控制栅之间加有电压。