| 发明名称 | 无氟稠环杂芳族光致产酸剂和包含其的抗蚀剂组合物 | ||
| 摘要 | 本发明涉及无氟光致产酸剂(PAG)和包含其的光刻胶组合物。所述PAG的特征在于存在<img file="DDA00001929470800011.GIF" wi="59" he="61" />阳离子部分和含有一个或多个吸电子取代基的无氟稠环杂芳族磺酸盐阴离子部分。所述PAG的<img file="DDA00001929470800012.GIF" wi="61" he="61" />阳离子部分优选为锍或碘<img file="DDA00001929470800013.GIF" wi="61" he="61" />阳离子。所述光刻胶组合物进一步包含酸敏性成像聚合物。所述光刻胶组合物对于使用193nm(ArF)光刻在半导体基板上形成材料图案是尤其有用的。 | ||
| 申请公布号 | CN102741747B | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201180007054.5 | 申请日期 | 2011.01.07 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S.刘;P.瓦拉纳西 |
| 分类号 | G03F7/004(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/004(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 无氟光致产酸剂，所述光致产酸剂包含<img file="FDA0000522147740000011.GIF" wi="66" he="78" />阳离子部分和具有以下两种结构之一的阴离子部分：<img file="FDA0000522147740000012.GIF" wi="920" he="396" />其中：X选自S；Y选自C；和G<sub>1</sub>‑G<sub>5</sub>各自选自H；直链烷基、支链烷基、或环状烷基；直链烷氧基、支链烷氧基、或环状烷氧基；未取代的和取代的芳族基团；和吸电子部分，条件是G<sub>1</sub>‑G<sub>5</sub>的至少一个为吸电子部分，其中所述<img file="FDA0000522147740000013.GIF" wi="68" he="81" />阳离子部分选自锍阳离子和碘<img file="FDA0000522147740000014.GIF" wi="64" he="79" />阳离子。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||