| 发明名称 | SiC MOS电容及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种SiC MOS电容及制造方法。SiC MOS电容包括：SiC衬底、栅介质层以及正负电极；SiC衬底层上设有SiC外延层；栅介质层包括上层SiO<sub>2</sub>过渡层、Hf<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>ON层和下层SiO<sub>2</sub>过渡层；SiC外延层上设有下层SiO<sub>2</sub>过渡层，下层SiO<sub>2</sub>过渡层上设有Hf<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>ON层，Hf<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>ON层上设有上层SiO<sub>2</sub>过渡层；正负电极分别与上层SiO<sub>2</sub>过渡层的表面和SiC衬底的背面连接。本发明可以减小栅漏电流，改善了器件的耐压能力，提高了器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104037240A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201410293414.8 | 申请日期 | 2014.06.26 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 贾仁需;闫宏丽;宋庆文;汤晓燕;张玉明 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人 | 李楠 |
| 主权项 | 一种SiC MOS电容，其特征在于，所述SiC MOS电容包括：SiC衬底、栅介质层以及正负电极；所述SiC衬底层上设有SiC外延层；所述栅介质层包括上层SiO<sub>2</sub>过渡层、Hf<sub>x</sub>Al<sub>1‑x</sub>ON层和下层SiO<sub>2</sub>过渡层；所述SiC外延层上设有所述下层SiO<sub>2</sub>过渡层，所述下层SiO<sub>2</sub>过渡层上设有所述Hf<sub>x</sub>Al<sub>1‑x</sub>ON层，所述Hf<sub>x</sub>Al<sub>1‑x</sub>ON层上设有所述上层SiO<sub>2</sub>过渡层；所述正负电极分别与所述上层SiO<sub>2</sub>过渡层的表面和所述SiC衬底的背面连接；所述SiC衬底为N型重掺杂SiC衬底层，所述SiC外延层为N型轻掺的SiC外延层。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||