发明名称 用于非易失性存储器存储系统的双范围目录
摘要 公开了一种设备、系统和方法。在一个实施例中,所述设备包括非易失性存储器(NVM)存储阵列以存储多个存储元素。所述设备还包括具有后台空间和前台空间的双范围目录结构。所述结构能够存储若干条目,其每一个对应于在NVM存储阵列中用于对存储元素进行存储的单元。后台空间包括针对如下存储元素的条目,该存储元素在没有对所述后台空间中的先前存储的存储元素进行任何部分重写的情况下被写入到所述阵列。前台空间包括针对如下存储元素的条目,该存储元素在对所述后台空间中的一个或多个先前存储的存储元素进行至少一次部分重写的情况下被写入到所述阵列。
申请公布号 CN102023930B 申请公布日期 2014.09.10
申请号 CN201010248967.3 申请日期 2010.08.06
申请人 英特尔公司 发明人 A·沃根
分类号 G06F12/08(2006.01)I 主分类号 G06F12/08(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 刘瑜;王英
主权项 一种非易失性存储器间接写入设备,包括:非易失性存储器存储阵列,其用于存储多个存储元素;以及双范围目录结构,其具有后台空间和前台空间,所述结构用于存储多个条目,所述多个条目中的每一个条目对应于在所述非易失性存储器存储阵列中用于存储所述多个存储元素中的一个存储元素的单元,其中,所述后台空间包括针对如下存储元素的条目,该存储元素在没有对所述后台空间中的先前存储的存储元素进行任何部分重写的情况下被写入到所述阵列;并且所述前台空间包括针对如下存储元素的条目,该存储元素在对所述后台空间中的一个或多个先前存储的存储元素进行至少一次部分重写的情况下被写入到所述阵列。
地址 美国加利福尼亚