多相功率开关模式电压调节器

摘要

本发明公开了一种多相电压调节器，涉及电压调节器，目的是提供能够满足低电压、大电流的多相电压调节器，其每一相包括集成于单个衬底上的一个高位晶体管阵列和一个低位晶体管阵列。本发明还公开了一种将电压调节器安装到倒装晶片和引线框上的系统，其中，源极金属线和漏极金属线形成交叉指形结构。

主权项

一种多相功率开关模式电压调节器，包括：多个相电路，每相电路包括至少一个开关器件阵列，每个所述的开关器件阵列相互并联连接，每个所述开关器件阵列中的每个开关器件包括MOSFET管和栅极驱动，其中，每个所述的MOSFET管具有减小的导通电阻，并且将驱动所述MOSFET管的栅极驱动靠近所述MOSFET管布置，以减小栅极耦合阻容值，其中所述多个相电路包含在一半导体倒装晶片中，引线框结构，用以连接所述半导体倒装晶片，所述引线框结构包括至少两个部分，每部分都有数个单方向向外延伸的指形结构，这两部分形成一个交叉指形结构；其中，所述的每个MOSFET管包括多个并联连接的分立DMOS元件；其中，所述的半导体倒装晶片的每一相电路还包括：至少一根供电金属总线，用以电气耦接供电电压到所述的多个栅极驱动；以及至少一根输入信号金属总线，用以电气耦接所述的多个栅极驱动；其中，每个开关器件还包括栅极驱动金属总线，用以电气耦接所述的多个分立DMOS元件的栅极；其中，每个所述开关器件还包括：漏极金属线，连接到所述多个分立DMOS器件的漏极；以及源极金属线，连接到所述多个分立DMOS器件的源极，所述源极与所述的漏极完全平行，进而形成所述的交叉指形结构；其中，所述的至少一个开关器件阵列还包括：高位开关器件阵列，每个阵列包括输入接触焊盘，电气耦接到所述漏极金属线上；开关接触焊盘，电气耦接到所述源极金属线上；以及低位开关器件阵列，每个阵列包括开关接触焊盘，电气耦接到所述漏极金属线上；接地焊盘，电气耦接到所述源极金属线上；其中，所述引线框结构还包括：第一部分，包括向第一边单方向延伸的第一指形结构，此处可与有输入接触焊盘的高位开关器件进行电气连接；每一相电路至少有一个第二部分，第二部分包括向第二边单方向延伸的第二指形结构，此处可与有开关接触焊盘的高位开关器件电气连接；以及第三指形结构，向所述的第一边单方向延伸，此处可与有开关接触焊盘的低位开关器件电气连接；以及第三部分，包括向所述的第二边单方向延伸的第四指形结构，此处可与有接地焊盘的低位开关器件电气连接；此处，第一指形结构和第二指形结构形成交叉指形结构，第三指形结构和第四指形结构形成交叉指形结构。