发明名称 | MOS电容的制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种MOS电容的制造方法,涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤:在硅晶圆片的上表面形成氧化层;在氧化层的上表形成金属引出电极的窗口;在金属引出电极的窗口处形成倒梯形的光刻胶形貌;蒸发一层金属铂;去除光刻胶的同时也将光刻胶上的金属铂一起去除;进行合金处理,使金属铂与硅形成良好的欧姆接触;在金属电极以外的区域形成光刻胶;上表面蒸发多层金属;剥离去除金属上电极和金属引出电极以外的步骤中蒸发的金属,形成MOS电容。所述方法简化了工艺流程,使用安全、环保。 | ||
申请公布号 | CN104037062A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
申请号 | CN201410256975.0 | 申请日期 | 2014.06.11 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 霍彩红;张宏宝;潘宏菽;付兴昌 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 李荣文 |
主权项 | 一种MOS电容的制造方法,其特征在于包括以下步骤:1)在硅晶圆片(1)的上表面形成氧化层(2);2)采用光刻的方法,利用光刻胶在氧化层(2)的上表形成金属引出电极的窗口;3)通过光刻的方法在金属引出电极的窗口处形成倒梯形的光刻胶形貌;4)在经过步骤3)处理后的硅晶圆片的表面蒸发一层金属铂(5);5)将蒸发金属铂(5)后的硅晶圆片放入剥离液中浸泡,去除光刻胶的同时也将光刻胶上的金属铂(5)一起去除,而无光刻胶处的金属铂(5)则与硅晶圆片粘附良好;6)将上述步骤5)处理后的硅晶圆片放入到充有保护气体的合金炉内进行合金处理,使金属铂与硅形成良好的欧姆接触;7)将铂硅合金后的硅晶圆片进行光刻处理,在金属电极以外的区域形成光刻胶;8)在经过步骤7)处理后的硅晶圆片的上表面蒸发多层金属(8);9)剥离去除金属上电极和金属引出电极以外的步骤8)中蒸发的金属,形成MOS电容。 | ||
地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 |