一种ZnO/VO₂复合热相变材料及制备方法

摘要

本发明涉及一种ZnO/VO₂复合纳米材料及其制备方法。所述材料依附在氧化铝衬底上并具有呈周期性排列分布的单元，每个单元是由包覆VO₂多晶壳层的若干ZnO四角棒构成的单晶纳米结构，相变温度为71.2ºC，具有可逆的金属—绝缘相变特性。该材料的制备首先以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶四角棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)₂）为原料，在氧气占8%~11%的氮氧混合气环境下，在ZnO纳米材料表面沉积多晶VO₂薄膜；最后移除模板得到图形化VO₂/ZnO复合相变材料。优点是，该方法制得的VO₂纳米结构形貌丰富，具有VO₂的金属—半导体相变特性，又结合了ZnO的宽禁带半导体的特性，具有很好的应用前景。

主权项

一种ZnO/VO₂复合热相变材料，其特征在于：依附在氧化铝衬底上并具有呈周期性排列分布的单元，每个单元是由包覆VO₂多晶壳层的若干ZnO四角棒构成的单晶纳米结构，相变温度为71.2℃，具有可逆的金属—绝缘相变特性。