| 摘要 |
Способ ультразвуковой очистки материалов при производстве искусственных кристаллов, заключающийся в промывке осколков кристаллов в трех установках ультразвукового технологического комплекса:в первой установке - в водном растворе моющего средства, концентрацией 50-100 г/л, температурой 50-60°C с наложением движущегося ультразвукового поля интенсивностью 20-25 Вт/литр в течение 10-30 мин и последующим барботированием моющего раствора воздухом (P=0,02-0,05 МПа) без ультразвука в течение 5 мин;во второй установке - в чистой воде при температуре 60-70°C с наложением движущегося ультразвукового поля интенсивностью 15-20 Вт/литр в течение 10-15 мин;в третьей установке - в деионизированной воде при температуре 60-70°C с наложением движущегося ультразвукового поля интенсивностью 10-15 Вт/литр в течение 5-10 мин. |
