| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括如下步骤：步骤S101：提供前端器件，在前端器件上形成包括凸起区域和凹陷区域的层间介电层；步骤S102：所述层间介电层的凹陷区域的上方形成图形化的光刻胶；步骤S103：以所述图形化的光刻胶为掩膜对层间介电层进行选择性离子注入，在所述凸起区域形成离子注入区；步骤S104：去除所述图形化的光刻胶；步骤S105：对层间介电层进行CMP，去除所述凸起区域，形成平坦化的层间介电层。该方法通过在进行CMP之前对层间介电层的凸起区域进行离子注入处理，可以有效保证CMP工艺的均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN104037078A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201310068028.4 | 申请日期 | 2013.03.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓武锋 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供前端器件，在所述前端器件上形成包括凸起区域和凹陷区域的层间介电层；步骤S102：在所述层间介电层的凹陷区域的上方形成图形化的光刻胶；步骤S103：以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述层间介电层进行离子注入，在所述凸起区域形成离子注入区；步骤S104：去除所述图形化的光刻胶；步骤S105：对所述层间介电层进行化学机械抛光，去除所述凸起区域，形成平坦化的层间介电层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||