发明名称 |
半导体器件及其生产方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括:提供半导体衬底;在衬底上提供至少一个半导体器件,该半导体器件具有与半导体衬底相对的背面和朝向半导体衬底的正面;在半导体器件的背面上提供接触层;将接触层接合到辅助载体;并且从衬底分离该至少一个半导体器件。此外,本发明还提供一种根据该方法生产的半导体器件和中间产品。 |
申请公布号 |
CN104037070A |
申请公布日期 |
2014.09.10 |
申请号 |
CN201410083341.X |
申请日期 |
2014.03.07 |
申请人 |
英飞凌科技奥地利有限公司 |
发明人 |
A·毛德;R·奥特雷姆巴;H-J·舒尔策 |
分类号 |
H01L21/04(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华 |
主权项 |
一种用于生产半导体器件的方法,包括:提供半导体衬底;在所述衬底上提供至少一个半导体器件,所述半导体器件具有与所述半导体衬底相对的背面和朝向所述半导体衬底的正面;在所述半导体器件的所述背面上提供接触层;将所述接触层接合到辅助载体;并且从所述衬底分离所述至少一个半导体器件。 |
地址 |
奥地利菲拉赫 |