发明名称 参考频率设定方法、存储器控制器及存储器存储装置
摘要 一种存储器存储装置的参考频率设定方法、存储器控制器及存储器存储装置。该参考频率设定方法包括如下步骤。利用第一信号传递路径从存储器模块或存储单元内读取包括第一设定信息的设定码,并将设定码存储于寄存器电路内。检测特定频率的数据是否被输入。如果否,读取存储于寄存器电路内的设定码,以使振荡电路模块依据设定码的第一设定信息来产生第一参考频率。如果是,利用第二信号传递路径来更新存储于寄存器电路内的设定码,并且读取存储于寄存器电路内更新后的设定码,以使振荡电路模块依据第二设定信息来产生第二参考频率。更新后的设定码包括第二设定信息。
申请公布号 CN104035480A 申请公布日期 2014.09.10
申请号 CN201310073978.6 申请日期 2013.03.08
申请人 群联电子股份有限公司 发明人 陈志铭;陈安忠
分类号 G06F1/04(2006.01)I 主分类号 G06F1/04(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 史新宏
主权项 一种可复写式非易失性存储器存储装置的参考频率设定方法,其中该可复写式非易失性存储器存储装置包括一可复写式非易失性存储器模块、一存储单元以及一振荡电路模块,该振荡电路模块包括一寄存器电路,该可复写式非易失性存储器存储装置不包括一石英振荡器,该参考频率设定方法包括:利用一第一信号传递路径从该可复写式非易失性存储器模块或该存储单元内读取一设定码,并将该设定码存储于该寄存器电路内,其中该设定码包括一第一设定信息;检测一第一频率的数据是否被输入;如果该第一频率的数据没有被输入,读取存储于该寄存器电路内的该设定码,以使该振荡电路模块依据该设定码的该第一设定信息来产生一第一参考频率;如果该第一频率的数据被输入,利用一第二信号传递路径来更新存储于该寄存器电路内的该设定码,其中更新后的该设定码包括一第二设定信息;以及如果该第一频率的数据被输入,读取存储于该寄存器电路内的更新后的该设定码,以使该振荡电路模块依据该第二设定信息来产生一第二参考频率。
地址 中国台湾苗栗县