利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法

摘要

本发明公开了一种利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法，涉及SiC电子器件技术领域。包括如下步骤：（a）对SiC基片进行清洗处理；（b）在SiC基片上生长适当厚度用于掩蔽光刻的复合介质导电膜；（c）通过光刻技术在复合介质导电膜上形成对位标记的光刻胶图形；（d）采用湿法与干法腐蚀将没有光刻胶保护的复合介质导电膜去除；（e）将图形上的光刻胶去除，形成对位标记。本发明对位标记实现简单，投影光刻中易于识别，能够提高SiC基片光刻的精度，提高SiC器件性能的一致性、成品率和可靠性；还能与SiC器件制作过程中的高温工艺兼容，不会对高温设备的腔体造成污染。

主权项

一种利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法，其特征在于包括如下步骤：（a）对SiC基片进行清洗处理；（b）在SiC基片上生长适当厚度用于掩蔽光刻的复合介质导电膜；（c）通过光刻技术在复合介质导电膜上形成对位标记的光刻胶图形；（d）采用湿法与干法腐蚀将没有光刻胶保护的复合介质导电膜去除；（e）将图形上的光刻胶去除，形成对位标记。