通过镶嵌工艺形成气隙

摘要

本发明提供了一种形成半导体器件的方法，其中通过镶嵌工艺形成气隙。该方法包括：在衬底上的第一介电层中形成第一导电层结构；形成具有多个部分的图案化光刻胶层，每一部分都位于对应的一个第一导电层结构上方；在每一部分的侧壁上形成能量可去除膜(ERF)；在ERF、图案化光刻胶层的部分和第一介电层的上方形成第二介电层；去除多个部分以留下多个开口；将导电材料填充在开口中，导电材料限定第二导电层结构；在第二导电层结构、ERF和第二介电层的上方形成顶面层；以及将能量施加于ERF，以部分地去除部分侧壁上的ERF，从而形成气隙。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成图案化第一介电层，所述图案化第一介电层具有多个第一开口；将第一导电材料填充在所述多个第一开口中，所述第一导电材料限定第一导电层结构；在所述第一介电层和所述第一导电层结构的上方形成掩模层，所述掩模层包括多个部分，每一部分均位于对应的一个所述第一导电层结构的上方，并且所述掩模层的每一部分的宽度均大于对应的一个所述第一导电层结构的宽度；在所述掩模层的每一部分的对应侧壁上形成能量可去除膜(ERF)；在所述能量可去除膜、所述掩模层的多个部分和所述第一介电层的上方形成第二介电层；去除所述掩模层的多个部分以留下多个第二开口；将第二导电材料填充在所述多个第二开口中，所述第二导电材料限定第二导电层结构；在所述第二导电层结构、所述能量可去除膜和所述第二介电层上形成顶面层；以及将能量施加于所述衬底，以至少部分地去除所述能量可去除膜并形成气隙。