| 发明名称 | 一种监测金属层过刻蚀的WAT测试结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种监测金属层过刻蚀的WAT测试结构，包括：多个子测试结构；每个子测试结构包括底层金属层和设置于所述底层金属层两端上的金属通孔；所述子测试结构通过金属通孔顶部的顶层金属层与下一个子测试结构中的金属通孔连接，从而形成链式的WAT测试结构；其中，所述金属通孔与底层金属层部分重叠。本实用新型通过将金属通孔与底层金属层设置为部分重叠，当底层金属层由于过刻蚀发生形状改变时，金属通孔与底层金属层容易断开，使整个WAT测试结构短路，呈现高阻态，从而监测出底层金属层发生过刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN203826347U | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201420200649.3 | 申请日期 | 2014.04.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张冠杰;张哲;杨媛;康静 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种监测金属层过刻蚀的WAT测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多个子测试结构；每个子测试结构包括底层金属层和设置于所述底层金属层两端上的金属通孔；所述子测试结构通过金属通孔顶部的顶层金属层与下一个子测试结构中的金属通孔连接，从而形成链式的WAT测试结构；其中，所述金属通孔与底层金属层部分重叠。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||