发明名称 高可靠太阳电池阵驱动机构控制装置
摘要 本发明的高可靠太阳电池阵驱动机构控制装置包括第一MOSFET栅极驱动电路、第二MOSFET栅极驱动电路、功率放大电路和压控恒流源电路;所述压控恒流源电路包括比较器、达林顿管和采样电阻;所述第一MOSFET栅极驱动电路、第二MOSFET栅极驱动电路、功率放大电路和压控恒流源电路的比较器设置在印刷电路板上,所述压控恒流源电路的达林顿管和采样电阻设置在所述太阳电池阵驱动机构控制装置的金属底座上。本发明的高可靠太阳电池阵驱动机构控制装置解决了现有技术的驱动机构控制装置中电机驱动厚膜集成电路工作温度较高,不能满足长寿命、高可靠度系统要求的问题。<pb pnum="1" />
申请公布号 CN105474802B 申请公布日期 2014.09.10
申请号 CN201218008261.X 申请日期 2012.12.28
申请人 上海宇航系统工程研究所 发明人 葛悦;张军;刘超
分类号 H01L31/042(2014.01)I;B64G1/44(2006.01)I 主分类号 H01L31/042(2014.01)I
代理机构 上海航天局专利中心 31107 代理人 冯和纯
主权项 高可靠太阳电池阵驱动机构控制装置,其特征在于,包括第一MOSFET栅极驱动电路、第二MOSFET栅极驱动电路、功率放大电路和压控恒流源电路;所述压控恒流源电路包括比较器、达林顿管和采样电阻;所述第一MOSFET栅极驱动电路和第二MOSFET栅极驱动电路分别与所述功率放大电路连接;所述比较器的正向输入端接收外部D/A转换器输出的压控恒流源信号,所述比较器的输出端与所述达林顿管的基极连接,所述达林顿管的集电极接收所述功率放大电路输出端输出的信号,所述达林顿管的发射极串联所述采样电阻后接地,且所述达林顿管的发射极连接所述比较器的反向输入端;所述第一MOSFET栅极驱动电路、第二MOSFET栅极驱动电路、功率放大电路和压控恒流源电路的比较器设置在印刷电路板上,所述压控恒流源电路的达林顿管和采样电阻设置在所述太阳电池阵驱动机构控制装置的金属底座上;所述第一MOSFET栅极驱动电路与第二MOSFET栅极驱动电路的结构相同,均包括上晶体管和下晶体管,外部第一电流极性控制信号分别通过一个电阻后输入所述第一MOSFET栅极驱动电路的两个晶体管的基极,外部第二电流极性控制信号分别通过一个电阻后输入所述第二MOSFET栅极驱动电路的两个晶体管的基极;所述功率放大电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和励磁绕组,且第二场效应管及第四场效应管的栅源极间各连接两个串联的稳压二极管,稳压二极管的P极接第二/四场效应管的源极,N极接第二/四场效应管的栅极;所述第一场效应管和第二场效应管的栅极分别与所述第一MOSFET栅极驱动电路的两个输出端连接,所述第三场效应管和第四场效应管分别与所述第二MOSFET栅极驱动电路的两个输出端连接,所述第一场效应管和第三场效应管的源极均连接电机供电,所述第一场效应管的漏极与所述第二场效应管的漏极连接,所述第三场效应管的漏极与所述第四场效应管的漏极连接,励磁绕组的一端与所述第一场效应管和第二场效应管的漏极连接,励磁绕组的另一端与第三场效应管和第四场效应管的漏极连接,所述第二场效应管的源极与所述第四场效应管的源极连接,且作为所述功率放大电路的输出端,所述功率放大电路的输出端与所述压控恒流源电路连接。
地址 201108 上海市闵行区金都路3805号
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