一种半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构，包括：一半导体衬底，多层超细硅线条，所述的多层超细硅线条的界面形状受衬底晶向和线条轴向晶向双重控制。形成方法包括：通过刻蚀工艺形成鱼鳍状硅岛Fin及其两端的源漏区；制备硅的腐蚀掩蔽层；形成多层超细硅线条。本发明的优点：最终形成的多层超细硅线条的位置与截面形状均匀、可控；对硅的各向异性腐蚀是自停止的，工艺窗口大，可在同一硅片上实现不同直径的硅线条；ICPECVD具有较强的窄槽填充能力，淀积牺牲层和腐蚀掩蔽层材料时无空洞；结合氧化技术可以制备尺寸小于10nm的线条，满足小尺寸器件关键工艺的要求；采用自上而下的加工方法，完全和体硅平面晶体管工艺兼容，工艺成本代价小。

主权项

一种半导体结构，包括：一半导体衬底，多层超细硅线条，其特征是，所述的多层超细硅线条的界面形状受衬底晶向和线条轴向晶向双重控制：对于(100)衬底上沿<110>的多层超细硅线条，顶层线条的截面为五边形，该五边形由一个(100)晶面、二个(110)晶面和二个(111)晶面围成；以下各层线条的截面为六边形，该六边形由两个(110)晶面和四个(111)晶面围成；对于(110)衬底上沿<110>的多层超细硅线条，顶层线条的截面为五边形，该五边形由一个(110)晶面、二个(100)晶面和二个(111)晶面围成；以下各层线条的截面为六边形，该六边形由两个(100)晶面和四个(111)晶面围成；对于(111)衬底和上沿<110>的多层超细硅线条，所有线条的截面均为矩形，该矩形由二个(111)晶面和二个(112)晶面围成。