III族氮化物结晶的制造方法、III族氮化物结晶及半导体装置

摘要

本发明提供可以制造大尺寸、且缺陷少并且高品质的III族氮化物结晶的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶(13)的制造方法包括：晶种选择步骤，选择III族氮化物结晶层(11)的多个部分，作为用于III族氮化物结晶(13)的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；和结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，生成III族氮化物结晶(13)并生长；所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过III族氮化物结晶(13)的生长，使由所述多个晶种生长的多个III族氮化物结晶(13)结合。

主权项

III族氮化物结晶的制造方法，其包括：晶种选择步骤，选择预先准备的III族氮化物的多个部分，作为用于III族氮化物结晶的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，而生成所述III族氮化物结晶并生长；所述III族氮化物结晶的制造方法的特征在于：所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式，配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过所述III族氮化物结晶的生长，使由所述多个晶种生长的多个所述III族氮化物结晶结合。