一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于Γ栅结构的增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层和漏极，所述有机绝缘层上依次设有ITO栅电极，和high-k介质层，所述high-k介质上设有ITO栅电极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层。本发明在栅上使用了high-K介质，可以降低栅泄漏电流，减少低频噪声；采用浮栅结构俘获电子实现增强型AlGaN/GaNHEMT器件，避免了采用F离子注入引入的晶格损伤以及栅区域干法刻蚀引入的大量界面态。

主权项

一种基于Γ栅结构的增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层和漏极，所述有机绝缘层上依次设有ITO栅电极，和high‑k介质层，所述high‑k介质上设有ITO栅电极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层。