一种电荷载流子倍增寄存器的抗光晕结构

摘要

本发明公开了一种电荷载流子倍增寄存器的抗光晕结构，在此结构中抗光晕通道是通过电极2连接到溢出通道。CCM正常工作时输入信号电荷载流子转移过程中实现倍增，当输入信号过大时经过CCM发生信号电荷载流子倍增，会生成过量信号电荷载流子，多余的信号电荷载流子溢出通过抗光晕通道收集到溢出通道，通过溢出通道转化成电流释放，从而抑制了光晕现象，这种抗光晕结构能够保证CCM实现信号电荷载流子接近零噪声的电荷放大倍增的基础上，又大大提升了采用CCM结构的图像传感器的探测灵敏度。

主权项

一种电荷载流子倍增寄存器的抗光晕结构，其特征是，在CCM信号通道区域之外制作一溢出通道，并且在CCM的信号通道和溢出通道之间用信号通道中的转移电极作为抗光晕通道实现连接。