发明名称 |
非易失性存储器件及其操作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种非易失性存储器件及其操作方法。非易失性存储器件包括页缓冲器部件、计数器、编程脉冲施加数目存储部件和编程起始电压设定部件。页缓冲器部件被配置为在包括在单页中的目标编程单元中存在被编程为超过基准电压的单元时输出1位通过信号。计数器被配置为对施加的编程脉冲的数目进行计数以确定编程脉冲施加数目。编程脉冲施加数目存储部件被配置为存储在对第一页的编程操作期间直到接收到1位通过信号为止所施加的编程脉冲的数目。编程起始电压设定部件被配置为基于所存储的编程脉冲施加数目来设定第二页的编程起始电压。 |
申请公布号 |
CN101794618B |
申请公布日期 |
2014.09.10 |
申请号 |
CN201010108251.3 |
申请日期 |
2010.01.29 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
林圭姬;朴成济;哲 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
杨林森;康建峰 |
主权项 |
一种非易失性存储器件,包括:页缓冲器部件,被配置为在单页中所包括的目标编程单元中存在被编程为超过基准电压的单元时输出1位通过信号;计数器,被配置为对所施加的编程脉冲的数目进行计数以确定编程脉冲施加数目;编程脉冲施加数目存储部件,被配置为存储在第一页的编程操作期间直到接收到所述1位通过信号为止所施加的编程脉冲的数目;以及编程起始电压设定部件,被配置为基于存储的所述编程脉冲施加数目设定第二页的编程起始电压。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |