| 发明名称 | 基于纳米粒子磁流变弹性体薄膜的微型磁场传感器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于纳米粒子磁流变弹性体薄膜的微型磁场传感器，包括纳米粒子磁流变弹性体薄膜(1)、沉积在纳米粒子磁流变弹性体薄膜(1)上的四个压敏电阻、玻璃外罩(3)、硅衬底(4)和玻璃衬底(5)。本发明的基于纳米粒子磁流变弹性体薄膜的微型磁场传感器，克服了温度对传感器精度的影响。且本发明所用的敏感元件是一种新型的纳米粒子磁流变弹性体薄膜，在测试时不用消耗额外能量即可在磁场作用下形变，进一步降低了整体功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102692609B | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201210171956.9 | 申请日期 | 2012.05.30 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 彭倍;张遒姝;李迪;黄洪钟;郝晓红;周吴 |
| 分类号 | G01R33/06(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种基于纳米粒子磁流变弹性体薄膜的微型磁场传感器，其特征在于，包括纳米粒子磁流变弹性体薄膜(1)、沉积在纳米粒子磁流变弹性体薄膜(1)上的四个压敏电阻R1至R4、玻璃外罩(3)、硅衬底(4)和玻璃衬底(5)；纳米粒子磁流变弹性体薄膜(1)两边的气压差会引起纳米粒子磁流变弹性体薄膜(1)向气压较小的一边弯曲形变，硅衬底(4)与玻璃衬底(5)之间密封，使得硅衬底(4)与玻璃衬底(5)之间内部气压不变；玻璃衬底(5)与玻璃外罩(3)间密封，使得玻璃衬底(5)与玻璃外罩(3)内部气压不变；纳米粒子磁流变弹性体薄膜(1)上沉积有四个压敏电阻R1至R4，压敏电阻R1至R4采用惠更斯电桥检测电阻改变。 | ||
| 地址 | 610054 四川省成都市建设北路二段四号 | ||