| 发明名称 | 半导体安装用钎料球和电子部件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体安装用的钎料球和具有该钎料球的电子部件，提供即使是近年的250μm以下的直径的钎料球也可确保充分的热疲劳特性的钎料球和具有该钎料球的电子部件。所述半导体安装用钎料球，其特征在于，是采用以Sn为主体，含有0.1～2.5质量％的Ag、0.1～1.5质量％的Cu以及总计为0.0001～0.005质量％的Mg、Al和Zn之中的1种或2种以上的钎料合金形成的半导体安装用钎料球，在该钎料球的表面具有1～50nm的厚度的非晶相，所述非晶相含有Mg、Al和Zn之中的1种或2种以上、和O以及Sn。所述电子部件使用了该半导体安装用钎料球。 | ||
| 申请公布号 | CN102666002B | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201180004305.4 | 申请日期 | 2011.08.04 |
| 申请人 | 新日铁住金高新材料株式会社;日铁住金新材料股份有限公司 | 发明人 | 寺岛晋一;田中将元;木村胜一 |
| 分类号 | B23K35/26(2006.01)I;C22C13/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H05K3/34(2006.01)I | 主分类号 | B23K35/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 一种半导体安装用钎料球，其特征在于，是采用钎料合金形成的半导体安装用钎料球，所述钎料合金以Sn为主体，含有0.1～2.5质量％的Ag、0.1～1.5质量％的Cu、以及总计为0.0001～0.005质量％的Mg、Al和Zn之中的1种或2种以上，在该钎料球的表面具有1～50nm的厚度的非晶相，所述非晶相含有Mg、Al和Zn之中的1种或2种以上、以及O和Sn。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||