发明名称 发光二极管
摘要 本发明提供发光二极管,其为可提高光的取出效率的新结构。该发光二极管构成为具有:芯片(12),其在正面具有发光层;和透光性部件(13),其使用具有透光性的树脂粘接在芯片的背面(12b)与支撑芯片的引线框(11)之间,且使从发光层出射的光透过。根据该结构,由于在具有发光层的芯片的背面侧具有使从发光层出射的光透过的透光性部件,因而可将在与引线框的界面反射并回到发光层的光的比例抑制得低,可提高光的取出效率。
申请公布号 CN104037313A 申请公布日期 2014.09.10
申请号 CN201410074375.2 申请日期 2014.03.03
申请人 株式会社迪思科 发明人 铃木稔;深谷幸太;冈村卓;荒川太郎
分类号 H01L33/58(2010.01)I 主分类号 H01L33/58(2010.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;金玲
主权项 一种发光二极管,其具有:芯片,其在正面具有发光层;和透光性部件,其使用具有透光性的树脂粘接在该芯片的背面与引线框之间,且使从该发光层出射的光透过,其中,该引线框对该芯片的背面进行支撑固定。
地址 日本东京都
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