| 摘要 |
1. Способ изготовления светоизлучающего устройства, включающий в себя этапы:предоставления структуры полупроводниковой пластины, включающей в себя светоизлучающий слой III-нитридного полупроводникового материала;сухого травления полупроводниковой пластины, по меньшей мере, отчасти через светоизлучающий слой, чтобы оставить вскрытыми поверхности излучающего слоя; иобработки вскрытых поверхностей излучающего слоя азотной кислотой при температуре, по меньшей мере, 100°С.2. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой включает в себя, по меньшей мере, одно из InGaN, GaN, AlGaN и GaN.3. Способ по п.2, в котором светоизлучающий слой содержит соседние слои из InGaN и GaN или соседние слои из AlGaN и GaN.4. Способ по любому предшествующему пункту, в котором упомянутая температура составляет, по меньшей мере, 200°С.5. Способ по п.4, в котором упомянутая температура составляет, по меньшей мере, 250°С.6. Способ по любому из пп. 1-3, 5, в котором азотная кислота находится в концентрации, по меньшей мере, 50%.7. Способ по любому из пп. 1-3, 5, в котором поверхности обрабатывают, в течение, по меньшей мере, 1 минуты.8. Способ по п.7, в котором поверхности обрабатывают, в течение, по меньшей мере, 3 минут.9. Способ изготовления светоизлучающего устройства, включающий в себя:предоставление структуры полупроводниковой пластины, включающей в себя светоизлучающий слой III-нитридного полупроводникового материала;сухое травление полупроводниковой пластины, по меньшей мере, отчасти через светоизлучающий слой, так, чтобы оставить вскрытыми поверхности излучающего слоя; иобработка вскрытых поверхностей излучающего слоя плазмой.10. Способ по п.9, в котором плазмой является вод� |
