利用氟掺杂技术形成集成电路系统的方法

摘要

本发明涉及利用氟掺杂技术形成集成电路系统的方法，提供一种用于形成半导体装置的方法，其包含下列步骤：提供栅极结构于半导体基板的有源区中，其中该栅极结构包含有高k材料的栅极绝缘层、栅极金属层及栅极电极层，形成邻近该栅极结构的侧壁间隔体，以及之后，执行氟植入工艺。也提供一种用于形成CMOS集成电路结构的方法，其包含下列步骤：提供有第一有源区及第二有源区的半导体基板，形成第一栅极结构于该第一有源区中以及第二栅极结构于该第二有源区中，其中每个栅极结构包含有高k材料的栅极绝缘层、栅极金属层及栅极电极层，形成邻近该第一及该第二栅极结构的每一个的侧壁间隔体，以及之后，执行氟植入工艺。

主权项

一种用于形成半导体装置的方法，其包含下列步骤：提供栅极结构于半导体基板的有源区中，该栅极结构包含有高k材料的栅极绝缘层、栅极金属层及栅极电极层；形成邻近该栅极结构的侧壁间隔体；以及之后执行氟植入工艺。