一种金属氧化物TFT器件及制造方法

摘要

本发明适用于电子器件技术领域，提供了一种金属氧化物TFT器件的制造方法，包括选取基板，在基板上制备栅极；在栅极上依次设置绝缘层、半导体层及光刻胶；以栅极为掩膜，自基板背部曝光，保留覆盖半导体层的沟道部分的光刻胶；向半导体层和光刻胶之上沉积电极层；剥离光刻胶及覆盖光刻胶的电极层，露出沟道；刻蚀电极层和半导体层，形成隔离的源漏极；沉积钝化层，将源漏极引出。本发明以栅极为掩膜，通过背部曝光及剥离光刻胶的方式实现自对准，工艺简单且对准精度高，减弱了寄生电容，提高了器件性能，且不需制作刻蚀阻挡层，简化了工艺，避免了刻蚀阻挡层对半导体沟道的不良影响，且掩膜板对准不再是关键的对准要求，降低了制造难度。

主权项

PCT国内申请，权利要求书已公开。