| 发明名称 | 改善短沟效应的栅控半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善短沟效应的栅控半导体器件，涉及半导体高频器件技术领域。包括栅结构，所述栅结构通过两条以上的栅根进行支撑，所述栅根的总长度与单栅根的栅控半导体器件的栅根长度相同。所述栅控半导体采用多栅根的栅结构，且多栅根的长度总和与常规的单栅根长度相等，利用多个栅根从源到漏在沟道处引入多个势垒，缓解DIBL（漏端引入的势垒降低）效应，从而缓解器件的短沟效应。 | ||
| 申请公布号 | CN104037214A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201410292065.8 | 申请日期 | 2014.06.26 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;房玉龙;徐鹏;宋旭波;谭鑫 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 一种改善短沟效应的栅控半导体器件，包括栅结构，其特征在于：所述栅结构通过两条以上的栅根进行支撑，所述两条以上的栅根的总长度与单栅根的栅控半导体器件的栅根长度相同。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||