| 发明名称 | 使用三氟化氯的装置中的三氟化氯供给路的内面处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够确实地抑制在处理作业时反应室中的ClF<sub>3</sub>浓度的降低的三氟化氯供给路的内面处理方法。使作为蚀刻气体使用三氟化氯的处理装置的处理腔室(1)与气体供给路(2)和气体排出路(3)连结成一体，使与蚀刻处理操作时供给的三氟化氯气体浓度相同的浓度或者比该浓度高的浓度的三氟化氯气体作用于该形成一体的处理腔室(1)、气体供给路(2)和气体排出路(3)中的至少处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面，至少对处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面通过氟化膜形成覆膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104040699A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201280066775.8 | 申请日期 | 2012.02.08 |
| 申请人 | 岩谷产业株式会社 | 发明人 | 吉野裕;小池国彦;佐枝学;真锅俊树 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张永康;向勇 |
| 主权项 | 一种使用三氟化氯的处理装置中的内面处理方法，其特征在于，其使作为蚀刻气体使用三氟化氯的处理装置的处理腔室(1)与气体供给路(2)和气体排出路(3)连结成一体，在通过三氟化氯气体进行蚀刻处理之前，使与蚀刻处理操作时供给的三氟化氯气体浓度相同的浓度或者比该浓度高的浓度的三氟化氯气体作用于该形成一体的处理腔室(1)、气体供给路(2)和气体排出路(3)中的至少处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面，至少对处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面通过氟化膜形成覆膜。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||