发明名称 |
一种晶硅太阳能电池钝化材料Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>浓度梯度掺杂ZnO薄膜及制备方法 |
摘要 |
一种晶硅太阳能电池钝化材料Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>浓度梯度掺杂ZnO薄膜及制备方法,通过原子沉积在硅片表面进行Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>沉积以形成厚度为1nm~10nm的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>层;然后继续在Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>层上进行n<sub>1</sub>次的ZnO沉积,然后进行1次Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>沉积,完成一次Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂ZnO沉积;按照上述Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂ZnO沉积的方式重复沉积,其中当次ZnO沉积的次数比前一次ZnO沉积多沉积一次,以形成厚度为30nm~100nmAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>浓度梯度掺杂ZnO层;沉积结束后,取出硅片,进行退火,得到晶硅太阳能电池钝化薄膜。优点是:薄膜设计合理,制备过程容易操作,对晶硅太阳能电池具有优良的钝化效果,电池光电转化效率高。 |
申请公布号 |
CN104037244A |
申请公布日期 |
2014.09.10 |
申请号 |
CN201410267305.9 |
申请日期 |
2014.06.17 |
申请人 |
辽宁工业大学 |
发明人 |
唐立丹;王冰;冯嘉恒;王建中 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
锦州辽西专利事务所 21225 |
代理人 |
李辉 |
主权项 |
1.一种晶硅太阳能电池钝化材料Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>浓度梯度掺杂ZnO薄膜,其特征是:在硅片上有一层厚度为1 nm~10 nm的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜层,在Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜层有浓度梯度掺杂ZnO薄膜层,所述Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>浓度梯度掺杂ZnO薄膜层由Al元素、Zn元素、O元素组成,其中Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>浓度梯度掺杂ZnO薄膜层中Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>所占比例由下至上依次减小,其电阻率依次降低,Al元素的含量为0.1%~10%,厚度为30nm~100nm,电阻率为10Ω·cm~1 10<sup>-5</sup>Ω·cm。 |
地址 |
121001 辽宁省锦州市古塔区士英街169号 |