| 发明名称 | 氧化物薄膜晶体管结构的制作方法及氧化物薄膜晶体管结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管结构的制作方法及氧化物薄膜晶体管结构。该氧化物薄膜晶体管结构的制作方法包括如下步骤：步骤1、提供载体；步骤2、形成氧化物半导体层(4)；步骤3、形成蚀刻阻挡层(5)；步骤4、在蚀刻阻挡层(5)上形成两个通孔(51、53)，露出部分氧化物半导体层(4)；步骤5、移除露置于两个通孔(51、53)内的氧化物半导体层(4)的表层，形成两个分别与该两个通孔(51、53)连通的凹槽(41、43)；步骤6、于蚀刻阻挡层(5)上形成源极(61)与漏极(63)，且该源极(61)填充一个通孔(51)及与其连通的凹槽(41)，该漏极(63)填充另一个通孔(53)及与其连通的凹槽(43)；步骤7，进行后制程。 | ||
| 申请公布号 | CN104037090A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201410277587.0 | 申请日期 | 2014.06.19 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 胡宇彤;曾志远;苏智昱;李文辉;吕晓文;石龙强;张合静 |
| 分类号 | H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种氧化物薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供载体；步骤2、于载体上形成氧化物半导体层(4)；步骤3、于氧化物半导体层(4)上形成蚀刻阻挡层(5)；步骤4、在蚀刻阻挡层(5)上形成两个通孔(51、53)，露出部分氧化物半导体层(4)；步骤5、移除露置于两个通孔(51、53)内的氧化物半导体层(4)的表层，形成两个分别与该两个通孔(51、53)连通的凹槽(41、43)；步骤6、于蚀刻阻挡层(5)上形成源极(61)与漏极(63)，且该源极(61)填充一个通孔(51)及与其连通的凹槽(41)，从而与氧化物半导体层(4)连接，该漏极(63)填充另一个通孔(53)及与其连通的凹槽(43)，从而与氧化物半导体层(4)连接。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||