一种全无机集成LED封装方法和结构

摘要

本发明公开一种全无机集成LED封装方法及结构，其中封装方法包括如下过程：过程1：制作支架以及玻璃盖板；过程2：对过程1制成的支架进行烘烤除湿、电浆清洗；过程3：将倒装芯片扩晶，在清洁好的支架上进行点助焊剂，固晶，所述助焊剂的参数要求：粘度≥100KCPS，沸点在150℃-220℃之间；过程4：将固晶好的支架经过共晶炉烘烤，其共晶烘烤分为五段进行；过程5：盖玻璃盖板，将第二金属层与支架无缝焊接。本发明避免有机材料如硅胶的应用，可用于紫外LED和不适合使用有机材料器件的封装，解决了恶劣环境下相关器件封装材料易老化变质问题。与现有技术相比，本发明有效的提高了LED在特殊环境下的应用范围，且能够使用深紫外线LED光源。

主权项

一种全无机集成LED封装方法，包括如下过程：过程1：制作支架以及玻璃盖板，其具体包括以下过程：过程11：制备陶瓷基板，陶瓷基板总厚度范围为3‑4mm；该陶瓷基板上设有凹槽，设置凹槽位置处的陶瓷基板的厚度范围为0.4‑0.6mm；同时，凹槽的上边沿向四周外侧水平延伸，与陶瓷基板的上边沿形成梯形连接结构；过程12：对陶瓷基板的凹槽进行激光钻孔，该孔用来将陶瓷基板内部的第一电极引到支架底部,该孔的直径范围为0.2‑0.3mm；同时，将陶瓷基板内部的第二电极引到支架的表层；其中，第二电极是通过在陶瓷基板内部钻孔形成U型槽结构，以将凹槽内的第二电极引到支架表层上；然后对陶瓷基板做前处理清洁，并在陶瓷基板的内凹槽局部区域印刷导电电路，烘烤固化，以最终形成支架；过程13：制作玻璃盖板，该玻璃盖板恰放置于陶瓷基板的梯形连接结构上，以将陶瓷基板盖合，其厚度范围为0.8‑1.5mm；且玻璃盖板的边缘经过打磨处理；过程14：将过程12获得的陶瓷基板，在梯形连接结构的表面设置第一金属层，形成具有高导热性能的陶瓷基板边框；将过程13制成的玻璃盖板，在其与陶瓷基板的接触面上同样设置第二金属层，形成具有高导热性能的玻璃盖板边框；过程2：对过程1制成的支架进行烘烤除湿、电浆清洗；其烘烤条件为：100°‑250°，烘烤时间为30‑120min，电浆清洗功率为200‑300W，清洗时间为5‑8min；过程3：将倒装芯片扩晶，在清洁好的支架上进行点助焊剂，固晶，所述助焊剂的参数要求：粘度≥100KCPS，沸点在150℃ ‑220℃之间；过程4：将固晶好的支架经过共晶炉烘烤，其共晶烘烤分为五段进行，第一段25±5℃（60‑120S）,第二段100±10℃（60‑120S）,第三段220±10℃（60‑120S）,第四段310±20℃（60‑120S），第五段220±10℃（60‑120S），第六段100±10℃（60‑120S），第七段25±5℃（60‑120S）；各温区通入的N2 气流量控制为≥ 50SCFH 以排去空气防止共晶时合金被二次氧化；过程5：盖玻璃盖板，将第二金属层与支架无缝焊接。