一种具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件

摘要

本发明涉及一种具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其包括金属、SiO₂隔离介质、沟槽、一次N^-外延层、P⁺离子注入区、二次N^-外延层、N⁺衬底区和欧姆接触区，其中，所述P⁺离子注入区处于二次N^-外延层的表面，肖特基接触区的所述沟槽与P⁺离子注入区上下对齐，形状相同，或者与非P⁺离子注入区上下对齐，形状相同本发明具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，既有沟槽式碳化硅SBD肖特基接触面积大，正向导通电流大的优点，又有浮动结碳化硅SBD击穿电压大的优点。

主权项

一种具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO₂隔离介质、沟槽、一次N^‑外延层、P⁺离子注入区、二次N^‑外延层、N⁺衬底区和欧姆接触区，其中，所述P⁺离子注入区处于二次N^‑外延层的表面，肖特基接触区的所述沟槽与P⁺离子注入区上下对齐，形状相同，或者与非P⁺离子注入区上下对齐，形状相同。