| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung, welches enthält: einen Schritt zur Ionenimplantation von einer Störstelle in eine Oberfläche von einem Siliziumcarbid-Wafer, um mindestens eine Well-Region (3) auszubilden; einen Schritt zum Ausbilden von einem Kohlenstoff-Schutzfilm (6) von einer vorbestimmten Dicke oberhalb aller Oberflächen von dem Siliziumcarbid-Wafer, welcher mit der Störstelle ionenimplantiert wurde, durch ein chemisches Dampfablagerungsverfahren, welches einen Film durch ein Pyrolisieren von einem Kohlenwasserstoffgas ablagert; einen Schritt zum Ausglühen des Siliziumcarbid-Wafers, welcher mit dem Kohlenstoff-Schutzfilm (6) ausgebildet wurde; und einen Schritt zum Entfernen des Kohlenstoff-Schutzfilms (16) von dem Siliziumcarbid-Wafer. |
