发明名称 Struktur einer Bindungsstelle und deren Bindungsverfahren sowie elektrisches Bauteil
摘要 <p>Ein Metallfilm 33 zur Bindung ist auf der Oberseite eines Basissubstrats 31 ausgebildet und ein Bindungsmaterial 34 auf der Oberseite des Metallfilms 33 angebracht. Eine Vertiefung 38 ist in der Unterseite eines Abdecksubstrats 35 ausgenommen und ein Metallfilm 37 zur Bindung in der Oberseite der Vertiefung 38 ausgebildet. Der Metallfilm 33 ist so ausgebildet, dass die Breite W1 desselben geringer (Wr > W1) als die Breite (Wr) der Vertiefung 38 ist. Das Basissubstrat 31 und das Abdecksubstrat 35 sind einander zugekehrt; der Rand der Vertiefung 38 im Abdecksubstrat 35 kommt mit der Oberseite des Basissubstrats 31 in Berührung; und der Metallfilm 33 und der Metallfilm 37 sind in der Vertiefung 38 durch das Bindungsmaterial 34 eutektisch verbunden. Die Formel Vr≥V1 + V2 + V3 ist erfüllt, wobei das Volumen des Metallfilms 33 V1, das Volumen des Metallfilms 37 V2, das Volumen des Bindungsmaterials 34 V3 und das Volumen der Vertiefung 38 Vr ist.</p>
申请公布号 DE112012005288(T5) 申请公布日期 2014.09.04
申请号 DE20121105288T 申请日期 2012.11.26
申请人 OMRON CORPORATION 发明人 NAITO, SAYAKA,;TANAKA, JUNICHI,;SHIOZAKI, MASAYOSHI,;AITA, FUMIJI,;KAWAI, KAZUYA,;SEKI, TOMONORI,;LEE, SANRYUL,;UCHIDA, DAIDO,
分类号 H01L23/02 主分类号 H01L23/02
代理机构 代理人
主权项
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