Gekapselte Halbleitervorrichtungen und Kapselungsvorrichtungen und -verfahren

摘要

Es sind gekapselte Halbleitervorrichtungen und Kapselungsvorrichtungen und -verfahren offenbart. In einer Ausführung umfasst ein Verfahren zum Kapseln einer Halbleitervorrichtung das Bereitstellen eines ersten integrierten Schaltkreischips, der mit einer ersten Oberfläche eines Substrats verbunden ist, das Durch-Substrat-Kontaktlöcher (TSVs) umfasst, die darin angeordnet sind. Eine leitende Kugel ist mit jedem der TSVs auf einer zweiten Oberfläche des Substrats verbunden, die der ersten Oberfläche des Substrats entgegengesetzt ist. Ein zweiter integrierter Schaltkreischip ist mit der zweiten Oberfläche des Substrats verbunden und eine Formmasse ist über den leitenden Kugeln, dem zweiten integrierten Schaltkreischip und der zweiten Oberfläche des Substrats ausgebildet. Die Formmasse wird von einer oberen Fläche der leitenden Kugeln entfernt und die obere Fläche der leitenden Kugeln wird vertieft. Eine Verteilungsschicht (RDL) wird über der oberen Fläche der leitenden Kugeln und der Formmasse ausgebildet.