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Herstellungsverfahren für einen Dünnfilmstrukturkörper, wobei der Dünnfilmstrukturkörper ein Substrat (1) und mindestens ein leitfähiges Dünnfilmbauelement (8) umfaßt, wobei das Dünnfilmbauelement (8) vier Halbleiterschichten (33, 35, 51, 53, 55, 57, 61, 63, 65, 67) einschließt, welche eine unterschiedliche Störstoffkonzentration und Größe haben und übereinander geschichtet sind, und wobei das Herstellungsverfahren folgende Schritte aufweist: Ausbilden einer Opferschicht (45) auf dem Substrat; Ablagern der vier Halbleiterschichten auf der Opferschicht (45) mittels unabhängiger Filmablagerungsschritte durch mehrmaliges Ausführen der Ablagerung mit Dotieren des Störstoffs; Strukturieren der vier Halbleiterschichten mittels einem teilweisen Ätzverfahren derart, dass eine Querschnittsform einer Seitenendfläche (71) des Dünnfilmbauelements eine unregelmäßige Form entlang der Dickenrichtung des Dünnfilmbauelements hat und die unregelmäßige Form eine schmale Halbleiterschicht zwischen zwei breiten Halbleiterschichten umfasst, wobei Ätzbeträge von Seitenendflächen der jeweiligen Halbleiterschichten je nach Unterschieden von Störstoffkonzentrationen in den jeweiligen Halbleiterschichten variieren; und Entfernen der Opferschicht, damit das Dünnfilmbauelement (8) einen beweglichen Bereich mit einem vorbestimmten Abstand vom Substrat aufweist. |
