发明名称 |
Atomare Schichtabscheidung (ALD) auf TaAIC für die Kondensatorintegration |
摘要 |
Es wird die atomare Schichtabscheidung (ALD) von TaAlC für die Kondensatorintegration beschrieben. Beispielsweise umfasst eine Halbleiterstruktur eine Vielzahl Halbleiterbauteile, welche in oder über einem Substrat angeordnet sind. Eine oder mehrere dielektrische Schichten sind über der Vielzahl Halbleiterbauteile angeordnet. Ein Metall-Nichtleiter-Metall(MIM)-Kondensator ist in zumindest einer der dielektrischen Schichten angeordnet, wobei der MIM-Kondensator eine Elektrode umfasst, welche eine konforme Schicht aus TaAlC aufweist, wobei der MIM-Kondensator mit einem Halbleiterbauteil oder mit mehreren Halbleiterbauteilen elektrisch verbunden ist. Es werden ebenso andere Ausführungsformen beschrieben und beansprucht. |
申请公布号 |
DE112011106029(T5) |
申请公布日期 |
2014.09.04 |
申请号 |
DE201111106029T |
申请日期 |
2011.12.21 |
申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
LINDERT, NICK;BRAIN, RUTH A.;STEIGERWALD, JOSEPH M.;GLASSMAN, TIMOTHY E.;BARAN, ANDRE |
分类号 |
H01L27/108;H01L21/205;H01L21/8242 |
主分类号 |
H01L27/108 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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