| 发明名称 | 晶片产品及包含其的氮化镓基半导体光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供晶片产品及包含其的氮化镓基半导体光元件。所述晶片产品的制造方法为，在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。 | ||
| 申请公布号 | CN104022201A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201410211067.X | 申请日期 | 2010.03.01 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社;株式会社光波 | 发明人 | 桥本信;秋田胜史;元木健作;藤原伸介;中幡英章 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨海荣;穆德骏 |
| 主权项 | 一种晶片产品，其包含：氧化镓衬底，和在所述氧化镓衬底上形成的包含III族氮化物的层叠体，其中在所述氧化镓衬底与所述层叠体的界面处设置有空隙。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||