一种冷等离子处理的花生育种方法

摘要

本发明公开了一种冷等离子体处理的花生育种方法，包括如下步骤：(1)将待处理花生原材料进行冷等离子体处理，得到冷等离子体处理后的材料；(2)从冷等离子体处理后的材料中选育具有目标性状的花生。本发明对花生种子进行冷等离子处理，明显提高了花生种子的能力，体现为具有以下特征：种子发芽能力提高；株高降低；主根长增长；须根长增长；百苗鲜重增加；第一侧枝长增长；总分枝数增加；单株饱果数增加；单株瘪果数减少；百果重增加；百仁重增加；出仁率增加；产量增加。本发明的花生育种方法突破了传统育种低水平重复、同质化严重和转基因育种潜在危险，以及太空育种经济投入巨大的缺点，可以缩短育种周期，在育种方法和手段上具有先进性。

主权项

一种冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：对花生原材料进行冷等离子体处理，所述冷等离子体处理的条件为：以氦气为工作介质，在真空封闭环境中，1～500W的处理功率下对花生原材料进行15～20秒的非电离幅射处理。