发明名称 |
一种基于相干控制的动态可调谐吸收器 |
摘要 |
本发明属于电磁波和新型人工电磁材料领域,具体涉及一种用于电磁波完美吸收的基于相干控制的动态可调谐吸收器。基于相干控制的动态可调谐吸收器,由介质层和人工电磁材料层组成,人工电磁材料层位于介质层的两侧,分别刻蚀在介质层的基底上,为人工电磁材料为周期或非周期排列的非对称开口环结构单元,非对称开口环结构由两个长度不等的金属线或弧构成,非对称开口环结构包含2段不等长的金属线或弧。本发明操作简单,通过调节控制波的相位、新型人工电磁材料的结构、尺寸参数和材料属性,就能够调节吸收器的吸收频带,实现对特定频率的电磁波的选择性吸收。本发明同时具有便携、重量轻、容易集成等优点。 |
申请公布号 |
CN104021817A |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201410246834.0 |
申请日期 |
2014.06.05 |
申请人 |
哈尔滨工程大学 |
发明人 |
史金辉;聂光宇;史全超;朱正;关春颖 |
分类号 |
G12B17/02(2006.01)I |
主分类号 |
G12B17/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于相干控制的动态可调谐吸收器,由介质层和人工电磁材料层组成,其特征在于:人工电磁材料层位于介质层的两侧,分别刻蚀在介质层的基底上,为人工电磁材料为周期或非周期排列的非对称开口环结构单元,非对称开口环结构由两个长度不等的金属线或弧构成,非对称开口环结构包含2段不等长的金属线或弧。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室 |