| 发明名称 | 化学机械研磨方法和半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种化学机械研磨方法和半导体结构的形成方法。其中，所述化学机械研磨方法包括：提供功能材料层，所述功能材料层中形成有若干凹槽；在所述凹槽的底部和侧壁以及凹槽两侧的功能材料层上形成补偿层；进行化学机械研磨，去除补偿层和部分所述功能材料层，形成上表面齐平的功能层。本发明提高了化学机械研磨所形成功能层上表面的平整度，以及提高了所形成半导体结构的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104022029A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201310064750.0 | 申请日期 | 2013.02.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 熊世伟 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：提供功能材料层，所述功能材料层中形成有若干凹槽；在所述凹槽的底部和侧壁以及凹槽两侧的功能材料层上形成补偿层；进行化学机械研磨，去除补偿层和部分所述功能材料层，形成上表面齐平的功能层；其中，所述化学机械研磨对所述功能材料层的研磨率大于对所述补偿层的研磨率。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||