| 发明名称 | 一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成，其中，1＜x≤2。该发明提供的电阻型存储器能避免存储介质之下产生空洞，从而保证器件的良率以及可靠性，同时具有相对低功耗的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN101740717B | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN200910145691.3 | 申请日期 | 2009.05.15 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;吕杭炳;王明;周鹏 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人 | 吴桂琴 |
| 主权项 | 一种电阻型存储器，包括上电极、铜下电极，其特征在于，还包括设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成的、包含硅元素的CuxO基存储介质，其中，1＜x≤2。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||