发明名称 半导体发光器件、制造方法以及半导体发光器件封装件
摘要 本发明提供了一种半导体发光器件、制造该半导体发光器件的方法以及一种利用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件具有顺序层叠的第一传导类型的半导体层、有源层、第二传导类型的半导体层、第二电极层、绝缘层、第一电极层和传导基底,其中,第二电极层在第二电极层和第二传导类型的半导体层之间的界面处具有暴露区域,第一电极层包括至少一个接触孔,所述至少一个接触孔电连接到第一传导类型的半导体层,与第二传导类型的半导体层和有源层电绝缘,并从第一电极层的一个表面延伸到第一传导类型的半导体层的至少部分。
申请公布号 CN102522473B 申请公布日期 2014.09.03
申请号 CN201110456822.7 申请日期 2009.02.26
申请人 三星电子株式会社 发明人 崔繁在;李镇贤;朴基烈;赵明洙
分类号 H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/36(2010.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 薛义丹
主权项 一种半导体发光器件,所述半导体发光器件包括:半导体堆叠件,具有彼此相对的第一主表面和第二主表面,并包括分别限定第一主表面和第二主表面的第一传导类型的半导体层和第二传导类型的半导体层以及形成在第一传导类型的半导体层和第二传导类型的半导体层之间的有源层;多个导电通孔,穿过第二传导类型的半导体层和有源层并至少延伸到有源层和第一传导类型的半导体层之间的界面;第一电极层,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,第一电极层的第一表面设置在半导体堆叠件的第二主表面上,第一电极层延伸并通过导电通孔连接到第一传导类型的半导体层,第一电极层的第二表面被构造成通过传导基底电连接到外部电源;第二电极层,设置在半导体堆叠件和第一电极层之间,并连接到第二传导类型的半导体层。
地址 韩国京畿道水原市